抗辐射三线译码器芯片可满足地面核设施强辐射场景对自动控制、传感器、智能装备和信息化系统的耐辐射需求。研制期间,项目团队选用180nm CMOS(互补金属氧化物半导体)商业标准工艺,通过晶体管级抗辐射加固研究,突破了MGy级抗总剂量辐射的数字芯片加固技术。针对显示控制、内存解码、电气自动化等应用需求,完成了三线译码桥接芯片设计、版图加固、流片、封装和测试的全流程技术开发,总剂量辐照测试表明其抗总剂量辐射性能达到1.17MGy。芯片在耐辐照性能测试环节采用了更科学可靠的在线测试方法,不仅在测试中始终处于工作状态,在经受1.17 MGy的在线总剂量辐照后,仍可以正常工作。
抗辐射三线译码器芯片
该项目隶属原子能院长期基础研究专项。面对抗辐射加固需求,项目团队未来将努力开发更多MGy级抗辐射总剂量的数字和模拟芯片,为“智慧核工业”的进一步实现贡献力量。